Группа ученых из Корейского института науки и технологий (Южная Корея) опубликовала статью в журнале Applied Physics Letters, в которой сообщается о создании первой в мире действующей прозрачной микросхемы памяти. Свою разработку исследователи назвали «прозрачной резистивной памятью с произвольной выборкой» (transparent resistive random access memory, TRRAM).По характеристикам микросхема напоминает широко используемую сейчас энергонезависимую память типа КМОП. Технологически же новые чипы во многом повторяют недавно разработанные образцы резистивной памяти с произвольной выборкой (resistive random access memory, RRAM). При изготовлении RRAM используются отличающиеся высокой прозрачностью металлооксидные материалы, и корейским ученым оставалось лишь отыскать подходящие прозрачные электроды и подложку и создать на этой основе микросхему. Коэффициент пропускания излучения в видимом диапазоне у готового изделия оказался равен 0,81.
